ความทะเยอทะยานชิปหน่วยความจำของจีนกำลังก้าวเข้าสู่หัวใจของห่วงโซ่อุปทานปัญญาประดิษฐ์CXMT ได้เริ่มผลิต HBM3E ในปริมาณเล็ก น้อยซึ่งเป็นหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงขั้นสูงที่ใช้ในชิปเซ็ต AI ตามรายงานของ Reuters
บริษัทวางแผนที่จะขยายการผลิตในปี 2027 ในขณะที่นักออกแบบชิปชาวจีนรวมถึง T-He ad ของ Alibaba Group Holding Ltd (NYSE: BAB A) และ Cambricon กำลังทดสอบหน่วยความจำด้วยโปรเซสเซอร์
การพัฒนาสามารถปรับเปลี่ยนภูมิทัศน์การแข่งขันสำหรับ Micron Technology Inc (NASDAQ: MU), SK Hynix Inc (NASDAQ: SKHY) และ Samsung ในขณะที่สร้างโอกาสใหม่ในกลุ่ม ETF ที่กำลังเติบโตที่มุ่งเป้าไปที่การเติบโตของหน่วยความจำทั่วโลก
• หุ ้น DRAM กำลังจะ อยู่ที่ไหน
CXMT กำลังขยับไกลกว่า DRAM ทั่วไป
CXMT เป็นผู้ผลิต DRAM รายใหญ่เป็นอันดับสี่ของโลกอยู่แล้วโดยมีส่วนแบ่งตลาด D RAM ทั่วโลกประมาณ 7% ตามการวิจั ย Counter pointรายได้คร ึ่งแรกปี 2026 เพิ่มขึ้น 874% ซึ่งชี้ให้เห็นว่าบริษัท มีการขยายตัวเร็วเพียงใดควบคู่ไปกับการขาดแคลนหน่วยความจำทั่วโลก
การย้ายเข้าสู่ HBM3E อาจมีความสำคัญมากกว่าHBM เป็นเทคโนโลยี DRAM แบบเรียงซ้อนซึ่งอยู่เคียงข้างตัวเร่ง AI และช่วยให้สามารถประมวลผลข้อมูลจำนวนมากได้ปัจจุบันตลาดถูกครอบงำโดย ซัมซุง, เอสเค ไฮนิกซ์ และ ไมครอน
การผลิต HBM ในปัจจุบันของ CXMT มีขนาดเล็กดังนั้นจึงยังไม่เป็นคู่แข่งกับ บริษัท เหล่านั้นแต่แผนที่จะปรับขนาดในปี 2027 และการทดสอบโดยนักออกแบบชิปจีนแนะนำให้ปักกิ่งต้องการห่วงโซ่อุปทานหน่วยความจำในประเทศที่สามารถสนับสนุนระบบนิเวศ AI ที่กำลังเติบโตได้
ETF สี่วิธีในการเล่นหน่วยความจำสี่วิธี
สำหรับนักลงทุน การพัฒนาขยายออกไปกว่าหนึ่งETF
Roundhill Memory ETF (BATS: D RAM) เป็นการ เล่นที่ สร้างหน่วยความจำโดยตรงมากที่สุดเป็นเจ้าของ บริษัท ระดับโลกที่เกี่ยวข้องกับ HBM, DRAM, NAND และพื้นที่เก็บ ข้อมูล รวมถึง Micron, Samsung และ SK Hynix ในขณะที่ยังได้รับความเสี่ยงทางเศรษฐกิจกับ CXMTในขณะที่ Micron, Samsung และ SK Hynix ถือหุ้นประมาณ 72% ของพอร์ตโฟลิโอโดยรวม CXMT ก็เป็นส่วนหนึ่งของการถือหุ้นด้วยโดยมีน้ำหนักเกือบ 5%
Tuttle Capital Concentrated Memory Stack ETF (BATS: HBMX) ใช้แนวทางที่กว้างขึ้นอย่างน้อย 80% ของสินทรัพย์จะต้องลงทุนใน บริษัท ที่มีหน่วยความจำซึ่งครอบคลุมถึงผู้ผลิตหน่วยความจำ บรรจุภัณฑ์ขั้นสูง พื้นผิว การทดสอบ และอุปกรณ์กองทุนเพิ่งเพิ่มโอกาสและความเสี่ยงของ CXMT ผ่านการแลกเปลี่ยนผลตอบแทนรวม
ธีมหน่วยความจำ ETF (NYSE: DISK) อาจเสนอมุม CXMT โดยตรงที่สุดก่อตั้งตำแหน่ง 10.56% ใน CXMT เมื่อบริษัทจีนเปิดตัวต่อสาธารณะในเดือนกรกฎาคมปัจจุบัน CXMT คิดเป็น 7.6% ของ DISK ควบคู่ไปกับ SK Hynix, SanDisk Corp (NAS DAQ: SNDK) และ Micron
จากนั้นก็มี KraneShares จีนเทคโนโลยีและเซมิคอนดักเตอร์ STAR Market 50 ETF (NY SE: KSTR)KSTR ให้การเปิดเผยระบบนิเวศเซมิคอนดักเตอร์ของจีนได้กว้างขึ้นซึ่งแตกต่างจากกองทุนหน่วยความจำแบบเพียร์เพลย์แต่ CXMT ได้กล าย เป็นหุ้นโดยตรงหลังจากการเปิดตัว STAR Market ทำให้KSTR เป็นอีกวิธีหนึ่งสำหรับนักลงทุนที่จะมีส่วนร่วมในการกระตุ้นหน่วยความจำภายในประเทศของจีน
โอกาสที่ใหญ่กว่าคือคอขวดความจำ
กรณีการลงทุนจึงใหญ่กว่าแค่ Micron เทียบกับ CXMT
โมเดล AI ต้องการโปรเซสเซอร์ที่ทรงพลังมากขึ้น แต่โปรเซสเซอร์เหล่านั้นต้องการหน่วยความจำความเร็วสูงจำนวนมหาศาลเมื่อความต้องการของ HBM, DRAM และ NAND เพิ่มขึ้น บริษัท ที่จัดหาหน่วยความจำและอุปกรณ์และโครงสร้างพื้นฐานที่จำเป็นในการผลิตจึงได้รับประโยชน์
ความก้าวหน้า HBM3E ของ CXMT เพิ่งเพิ่มเลเยอร์อีกเลเยอร์ให้กับเรื่องราวนั้นการแข่งขัน AI ทั่วโลกกำลังกลายเป็นการแข่งขันหน่วยความจำ และขณะนี้นักลงทุนมี ETF หลายรายการที่เสนอวิธีที่แตกต่างกันในการจับภาพมัน
ภาพที่สร้างขึ้นโดยใช้ AI